Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (4)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Сисоєв А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Сисоєв А. С. 
Поширення гаусового хвильового пучка у шаруватому нелінійному середовищі з плоскими межами розділу [Електронний ресурс] / А. С. Сисоєв // Світлотехніка та електроенергетика. - 2013. - № 3-4. - С. 17-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/svitteh_2013_3-4_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 128.188 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Сисоєв А. С. 
Дифракція гауссового пучка на тонкій голографічніій гратці [Електронний ресурс] / А. С. Сисоєв // Світлотехніка та електроенергетика. - 2014. - № 1. - С. 58-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/svitteh_2014_1_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 679.913 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Сисоєв А. С. 
Голографування у полі гаусових хвильових пучків [Електронний ресурс] / А. С. Сисоєв, Л. А. Назаренко // Світлотехніка та електроенергетика. - 2016. - № 1. - С. 4-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/svitteh_2016_1_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 138.089 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Сисоєв А. В. 
Види контролінгу операційної діяльності підприємства торгівлі [Електронний ресурс] / А. В. Сисоєв // Економіка. Фінанси. Право. - 2019. - № 10(3). - С. 24-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ecfipr_2019_10(3)__7
Попередній перегляд:   Завантажити - 737.178 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Сисоєв А. В. 
Система інструментів контролінгу операційної діяльності підприємства торгівлі [Електронний ресурс] / А. В. Сисоєв // Економіка. Фінанси. Право. - 2019. - № 12(3). - С. 21-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ecfipr_2019_12(3)__7
Попередній перегляд:   Завантажити - 809.359 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Сисоєв А. В. 
Оцінка ефективності контролінгу операційної діяльності підприємства [Електронний ресурс] / А. В. Сисоєв. // Ефективна економіка. - 2020. - № 1. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/efek_2020_1_66
Попередній перегляд:   Завантажити - 325.602 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Сисоєв А. В. 
Економічна сутність контролінгу [Електронний ресурс] / А. В. Сисоєв // Економіка. Фінанси. Право. - 2021. - № 2(1). - С. 21-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ecfipr_2021_2(1)__7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.057 Mb    Зміст випуску     Цитування
8.

Сисоєв Ю. О. 
Запалювання вакуумно-дугового розряду в джерелах плазми нетрадиційними методами [Електронний ресурс] / Ю. О. Сисоєв, Ю. В. Широкий, А. Ю. Сисоєв // Авіаційно-космічна техніка і технологія. - 2022. - № 4. - С. 36–45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2022_4_6
Вивчено процеси збудження вакуумно-дугового розряду у джерелах плазми нетрадиційними методами: переходом тліючого розряду в дуговий (ПТД) та ініціювання дуги за допомогою лазерного випромінювання (ЛВ). Мета роботи - підвищення ресурсу систем запалювання (СЗ) джерел плазми для розширення їх технологічних можливостей та якості одержуваних покриттів. Завдання: дослідити режими, за яких нетрадиційні СЗ стабільно збуджують дуговий розряд і при цьому забезпечується їх високий ресурс роботи. Використовуваними методами є аналітичні, та методи експериментальних досліджень, які здійснювались за допомогою розроблених нових пристроїв. Дослідження збудження дуги за допомогою ПТД у системі електродів пеннінговського типу показало, що використання джерела плазми з такою СЗ є доцільним у процесах, в яких застосовують реакційні гази, що утворюють на поверхні катода сполуки з його матеріалом. В іншому випадку через кілька сотень спрацьовувань імовірність ПТД знижується до значень 10 - 50 %, що пояснюється очищенням поверхні катода від різних неоднорідностей. Запалювання дуги ПТД із застосуванням діелектричних стимуляторів катодної плями (КП) розширяє технологічні можливості джерела плазми. Дуговий розряд у цьому випадку стабільно запалюється в діапазоні тисків від 10<^>-2 до 10 Па, імпульсами напруги порядку 2 кВ при магнітному полі напруженістю 5,6 x 10<^>4 А/м та енергії пускового імпульсу 2 Дж. Розроблено конструкцію джерела плазми з комбінованою СЗ дуги, яка надає можливість досягти максимальної надійності збудження вакуумної дуги. Джерело плазми з комбінованою СЗ має надійність запуску пристрою в діапазоні тисків 10<^>-2 - 5 Па, наявності магнітного поля величиною 10<^>4 - 10<^>5 А/м та амплітудою пускових імпульсів 1,5 - 2,0 кВ близьку до 100 %. Розглянуто умови, за яких формування конденсату парів матеріалу катода джерела плазми на поверхні вікна введення ЛВ не відбувається та запропоновано для вирішення цієї проблеми подання енергії у зону конденсації безпосередньо в шар конденсату, що формується.
Попередній перегляд:   Завантажити - 854.577 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Широкий Ю. В. 
Теоретичне дослідження температурних полів міді при формуванні наноструктурних шарів у плазмовому середовищі [Електронний ресурс] / Ю. В. Широкий, А. Ю. Сисоєв, Ю. С. Панченко // Авіаційно-космічна техніка і технологія. - 2022. - № 5. - С. 51–60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2022_5_6
Вивчено математичну модель для теплових процесів під час формування наноструктур у плазмовому середовищі. У раніше проведених дослідженнях було показано, що для появи наноструктур необхідно, щоб була певна температура, швидкість її наростання та температурні напруження. Необхідна глибина приповерхневого шару оброблюваного матеріалу, найбільш сприятлива для утворення наноструктур, визначається там, де виникають найвищі температурні градієнти напруження. Мета роботи - визначення технологічних параметрів для стабільного отримання наноструктур при іонно-плазмовій на прикладі обробці поверхні міді. Завдання роботи, змінюючи енергію іонів обирати розташування полів по глибині матеріалу, щоб генерувати необхідні градієнти високої температури у заданих площинах матеріалу. Таким чином, у великому обсязі матеріалу можуть створюватися значні температурні напруги, а значить і наноструктури. Використано аналітичний метод. Розроблено математичну модель для опису генерації температурних полів під час іонно-плазмової обробки поверхні та перевірено її на процесі обробки міді іонами кисню. У цій моделі спільні дії плазмових потоків і потоків заряджених частинок із матеріалами реалізуються через теплофізичні, термомеханічні, термосталісні, дифузійні, термохімічні, плазмохімічні процеси та процеси зіткнень. Тому розроблена модель буде сприяти більш точному визначенню технологічних параметрів для утворення умов, які будуть сприяти стабільному росту наноструктур у приповерхневих шарах оброблюваних матеріалів. В результаті числових розрахунків визначено залежність температури поверхневого шару міді від енергії іонів кисню. Розраховано температурні поля в зоні дії іонів для трьох рівнів площини поверхневого шару залежно від глибини проникнення іонів для різних часів їх взаємодії та за різних щільностей струму від 2,7 x 10<^>6 до 2,1 x 10<^>8 A/m<^>2. Як показали дослідження, максимальна температура поверхні досягається в кінці теплової дії іона. Встановлено, що отримані значення температурних напружень показали можливість утворення наноструктур у поверхневому шарі міді під дією іонів кисню на глибині <$E x~=~0,5 lambda sub m> за щільностей струму 2,7 x 10<^>6 A/m<^>2. Для площини <$E x~=~0,5 lambda sub m>, за щільності струму 3 x 10<^>7 A/m<^>2, де були виявлені найбільші температурні градієнти, розраховано максимальні температурні напруги, які становлять 5 x 10<^>8 N/m, що підтверджує створення умов для отримання наноструктур. Але за 2,1 x 10<^>8A/m<^>2 загальна температура підвищується, а температурні градієнти зменшуються, що прозводить до зменшення температурних напружень і невиконанню умов отримання наноструктур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 906.489 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського